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陆沅

作品数:15 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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31 条 记 录,以下是 1-10
刘祥林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆大成
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 MOVPE GAN MOVPE生长 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓晖
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOVPE MOVPE生长 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎大兵
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
研究主题:ALGAN 氮化物 紫外探测器 石墨烯 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈振
供职机构:中国科学院
研究主题:GAN 氮化镓 MOCVD INGAN MOVPE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁海荣
供职机构:云南师范大学能源与环境科学学院太阳能研究所
研究主题:GAN MOVPE XGA 氮化镓 GAN外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李昱峰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INGAN MOCVD 量子点 MOCVD生长 表面应力
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韩培德
供职机构:太原理工大学
研究主题:第一性原理 电子结构 第一性原理研究 光子晶体 洋葱状富勒烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴洁君
供职机构:北京大学
研究主题:厚膜 氮化物 衬底 籽晶 坩埚
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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