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刘红兵

作品数：19 被引量：34H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

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领域

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地区

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共 33 条 记 录，以下是 1-10
杨洁
供职机构：中国人民解放军军械工程学院静电与电磁防护研究所
研究主题：静电放电 ESD 微电子器件 测试系统 介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
祁树锋
供职机构：第二炮兵工程学院
研究主题：ESD 静电放电 微电子器件 核爆 雷电电磁脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘尚合
供职机构：中国人民解放军军械工程学院
研究主题：静电放电 ESD 电晕放电 电磁脉冲 静电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩建栋
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：热膨胀系数 铝 微波组件 二极管 焊点质量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
巨楷如
供职机构：中国人民解放军军械工程学院静电与电磁防护研究所
研究主题：ESD 微电子器件 静电放电 双极性晶体管 低噪声晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓倩
供职机构：太原卫星发射中心
研究主题：ESD 微电子器件 多尺度 气动 振铃效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许洋
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：AU 关键工序 键合 可靠性分析 结温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾泰
供职机构：空军雷达学院
研究主题：ESD 微电子器件 DC/DC变换电路 观测器 输出电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许洋
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：超声能量 硅芯片 危险系数 脉冲源 脉冲功率源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张伟
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT 锗硅异质结双极晶体管 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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