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戴扬

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：共振隧穿二极管 GAN 大功率 RTD 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王良臣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张杨
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 电子束曝光 生物传感器 隔离层 锑化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜睿
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：共振隧穿二极管 RTD 高电子迁移率晶体管 存单 传输门
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄应龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：RTD HEMT 干法刻蚀技术 发射区 共振隧穿二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 单光子探测 超晶格 场效应晶体管 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张扬
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多量子阱 晶体质量 二氧化硅膜 衬底 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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