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曹福年

作品数：8 被引量：14H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

领域

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主题

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地区

  • 10个北京市
共 10 条 记 录，以下是 1-10
卜俊鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴让元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 SI-GAAS GAAS 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明焦
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI-GAAS X射线 亚表面损伤层 抛光晶片 亚表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白玉珂
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：亚表面损伤层 SI-GAAS GAAS 单晶炉 X射线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑红军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 GAAS 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘巽琅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 溴 单晶片 抛光 INP单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白玉柯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：化学腐蚀 均匀性 GAAS 晶片 磨片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨锡权
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：EL2 砷化镓 热稳定性 SI-GAAS 费米能级
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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