惠峰
- 作品数：30 被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 降低GaAs抛光晶片亚表面损伤层的分析
- 作者分析了砷化镓抛光晶片亚表面损伤层引入的影响因素,重点讨论了不同弹性抛光布不同浓度抛光液进行GaAs晶片化学机械抛光试验,并用TEM测量晶片亚表面损伤层厚度.
- 郑红军卜俊鹏尹玉华惠峰
- 关键词：砷化镓抛光电学性质
- 文献传递
- 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
- 一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤：步骤1：将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶；步骤2：将合成好的GaAs多晶、籽晶和B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
- 占荣惠峰赵有文
- 文献传递
- 难处理含锗废渣的资源化技术及应用
- 普世坤包文东朱知国兰尧中惠峰
- 该项目属于矿业、冶金工业废物处理与综合利用领域。锗是重要稀缺战略资源，是国防、通讯及新能源领域不可替代的关键材料，国家已列入战略储备。中国锗资源储量达3500吨，占世界的40.7%。中国是最大的锗生产国，年产量约120吨...
- 关键词：
- 关键词：工业废物处理
- GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析被引量：3
- 1999年
- 采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了ＳｉＯ２胶体溶液不稳定对ＧａＡｓ抛光晶片亚表面损伤层的影响。
- 郑红军卜俊鹏何宏家吴让元曹福年白玉珂惠峰
- 关键词：砷化镓抛光亚表面损伤层
- 一种热解氮化硼坩埚表层镀膜方法及装置
- 本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供挥发空间。方法包括：在传统处理工...
- 高永亮惠峰王文军
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- 非掺杂LEC砷化镓抛光晶片表面缺陷及晶体缺陷研究
- 人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等着重微区分析的手段分析样品,主要集中在微小区域里,观察和分析视...
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：微缺陷抛光晶片晶体缺陷光散射
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- 可以修整抛光晶片平整度的抛光头
- 一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛光时，将气囊充气...
- 朱蓉辉惠峰卜俊峰郑红军赵冀
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- 双面抛光机
- 一种双面抛光机，包括：内齿圈和外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形，环绕内齿圈而设置在内齿圈和外齿圈之间；以及至少一个单面抛光用晶片固定盘，贴附多个被加工的晶片；...
- 朱蓉辉赵冀惠峰卜俊鹏郑红军
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- SI-GaAs29Si+离子注入层性能研究
- 1前言在Sl—GaAs晶片上直接离子注入Si,是制作多种徽波器件和GaAs集成电路的重要方法。Si注入,热退火之后,Sl-GaAs基体上就形成了一低阻薄层。在器件工艺过程中,这些低阻薄层的性能将对器件和集成电路的性能起决...
- 卜俊鹏曹福年白玉珂吴让元惠峰刘明焦何宏家
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- 一种晶锭与热解氮化硼坩埚脱离方法及设备
- 本发明属于半导体技术领域，特别指垂直梯度凝固(VGF)法或垂直布里奇曼(VB)法生长半导体单晶工艺中晶锭与热解氮化硼(PBN)坩埚脱离方法及设备。设备包括：一套温控设备和加热炉体、一套PBN坩埚支撑系统、一台超声波发生器...
- 高永亮惠峰王文军
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