赵冀
- 作品数：10 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 双面抛光机
- 一种双面抛光机，包括：内齿圈和外齿圈，所述内齿圈设置于外齿圈内中心位置处；上抛光盘和下抛光盘，所述上抛光盘和下抛光盘呈圆环形，环绕内齿圈而设置在内齿圈和外齿圈之间；以及至少一个单面抛光用晶片固定盘，贴附多个被加工的晶片；...
- 朱蓉辉赵冀惠峰卜俊鹏郑红军
- 文献传递
- 非掺杂LEC砷化镓抛光晶片表面缺陷及晶体缺陷研究
- 人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等着重微区分析的手段分析样品,主要集中在微小区域里,观察和分析视...
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：微缺陷抛光晶片晶体缺陷光散射
- 文献传递
- 可以修整抛光晶片平整度的抛光头
- 一种可以修整抛光晶片平整度的抛光头，其特征在于，包括：一晶片固定盘；一上抛光盘，该上抛光盘的断面为倒T形；一气囊，该气囊固定在上抛光盘的底面，该气囊可以充气；一抛光垫，该抛光垫固定在气囊的底面；欲将晶片抛光时，将气囊充气...
- 朱蓉辉惠峰卜俊峰郑红军赵冀
- 文献传递
- 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质
- 2008年
- 通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低.
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：砷化镓LEC微缺陷位错分布
- 超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺被引量：5
- 2003年
- 在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。
- 卜俊鹏郑红军赵冀朱蓉辉尹玉华
- 关键词：GAAS抛光亚表面损伤层砷化镓半导体
- 半导体晶片精密化学机械抛光剂
- 一种半导体晶片精密化学机械抛光剂，其特征在于，该抛光剂按重量百分比含有以下成分：二氧化氯融合剂1％－10％；pH调节剂3.5％－10％；其余为水；混合、搅拌，形成半导体晶片精密化学机械抛光剂。
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军赵冀
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- 蓝宝石图形衬底晶片及制备方法
- 一种蓝宝石图形衬底制备方法，包括如下步骤：步骤1：对蓝宝石切割片进行双面研磨，形成蓝宝石粗磨晶片；步骤2：对所述蓝宝石粗磨晶片进行单面精密研磨，形成蓝宝石精磨晶片；步骤3：在所述未经精抛的蓝宝石精磨晶片上直接形成刻蚀图形...
- 王文军郭金霞赵冀王莉伊晓燕王军喜李晋闽
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- LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷被引量：1
- 2007年
- 通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因.
- 朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮
- 关键词：GAAS微缺陷抛光晶片光散射
- 蓝宝石图形衬底的制备方法
- 本发明公开了一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底表面形成掩膜层；步骤2：将掩膜层图形化，形成掩膜图形；步骤3：利用干法刻蚀具有掩膜图形的蓝宝石衬底，并形成与所述掩膜图形对应的原始凸起；步骤4...
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- 扩散型兆声波清洗槽
- 一种扩散型兆声波清洗槽，其特征在于，包括：一清洗槽；一兆声阵列，该兆声阵列装在清洗槽的底部下面；一半球体能量扩散结构阵列，该半球体能量扩散结构阵列安装在清洗槽的底部上面，该兆声阵列与半球体能量扩散结构阵列相互对应。本发明...
- 朱蓉辉惠峰卜俊鹏郑红军赵冀
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