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王玉田

作品数：70 被引量：95H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN 欧姆接触电极 紫外探测器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁骏吾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 GAN 硅 多晶硅 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑新和
供职机构：北京科技大学
研究主题：太阳能电池 GAN 有源 导电类型 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庄岩
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 X射线双晶衍射 X射线衍射 INGAAS/INALAS 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵德刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 紫外探测器 衬底 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
渠波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：立方相 氮化镓 GAN外延层 外延层 立方GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑联喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 MOCVD 立方相 MOCVD生长 立方相GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：立方相 MOCVD 砷化镓 氮化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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