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李辉
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29
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H指数:5
供职机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金
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相关领域:
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合作作者
陈效建
南京电子器件研究所
陈堂胜
微波毫米波单片集成和模块电路国...
戴永胜
南京电子器件研究所
周建军
中国电子科技集团公司第五十五研...
岑元飞
南京电子器件研究所
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陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
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周建军
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:GAN_HEMT器件 势垒层 金属 金刚石 GAN
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戴永胜
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS_MMIC 多倍频程 可变衰减器
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陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
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孔岑
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:GAN_HEMT器件 势垒层 金属 刻蚀 欧姆接触
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俞土法
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 多倍频程 可变衰减器
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岑元飞
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 单片集成电路 集成电路 单片 S波段
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陈辰
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:势垒 高电子迁移率晶体管 4H-SIC 碳 硅
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李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
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林金庭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
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