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王新华

作品数:12 被引量:10H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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王晓亮
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 高电子迁移率晶体管 铝镓氮 分子束外延
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肖红领
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
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王保柱
供职机构:河北科技大学信息科学与工程学院
研究主题:GAN 电学性能 成核 生长温度 肖特基二极管
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王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
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冉军学
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:MOCVD 氮化镓 金属有机物 MOCVD生长 GAN
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王翠梅
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
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冯春
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 铝镓氮 势垒 高电子迁移率晶体管 气体传感器
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刘宏新
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 氮化镓 GAN 二维电子气 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓燕
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:AL组分 心电信号 去噪 RF-MBE 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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