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赵有文

作品数:114 被引量:109H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>

领域

  • 82个理学
  • 78个电子电信
  • 36个金属学及工艺
  • 35个一般工业技术
  • 32个机械工程
  • 28个电气工程
  • 24个自动化与计算...
  • 19个化学工程
  • 19个文化科学
  • 18个经济管理
  • 10个核科学技术
  • 9个轻工技术与工...
  • 9个医药卫生
  • 6个航空宇航科学...
  • 6个环境科学与工...
  • 5个农业科学
  • 4个生物学
  • 4个冶金工程
  • 4个建筑科学
  • 4个交通运输工程

主题

  • 60个半导体
  • 57个单晶
  • 51个磷化铟
  • 49个晶体
  • 48个衬底
  • 44个掺杂
  • 43个退火
  • 38个半导体材料
  • 37个GASB
  • 37个INP
  • 36个半绝缘
  • 35个晶格
  • 35个发光
  • 32个氮化
  • 30个单晶生长
  • 30个晶片
  • 29个GA
  • 28个能级
  • 27个砷化铟
  • 25个导体

机构

  • 69个中国科学院
  • 13个四川大学
  • 7个中国科学技术...
  • 6个武汉大学
  • 4个中国电子科技...
  • 4个中国科学院大...
  • 3个河北半导体研...
  • 3个北京工业大学
  • 3个信息产业部
  • 3个中国电子科技...
  • 3个河南仕佳光子...
  • 3个扬州中科半导...
  • 2个大连理工大学
  • 2个北京大学
  • 2个北京师范大学
  • 2个广西大学
  • 2个吉林大学
  • 2个专用集成电路...
  • 1个复旦大学
  • 1个合肥工业大学

资助

  • 74个国家自然科学...
  • 27个国家高技术研...
  • 27个国家重点基础...
  • 12个中国科学院知...
  • 10个中国博士后科...
  • 10个国家重点实验...
  • 10个中国科学院知...
  • 7个教育部留学回...
  • 7个河北省自然科...
  • 6个国家教育部博...
  • 5个北京市自然科...
  • 5个高等学校学科...
  • 5个国际科技合作...
  • 5个全球变化研究...
  • 5个中国科学院科...
  • 4个河南省科技攻...
  • 4个国家科技重大...
  • 4个“九五”国家...
  • 4个王宽诚敎育基...
  • 4个王宽诚教育基...

传媒

  • 48个Journa...
  • 31个人工晶体学报
  • 27个物理学报
  • 26个红外与毫米波...
  • 25个第十四届全国...
  • 23个半导体光电
  • 21个半导体技术
  • 20个第十二届全国...
  • 20个第十三届全国...
  • 19个第十五届全国...
  • 16个发光学报
  • 16个第十七届全国...
  • 15个固体电子学研...
  • 15个第十六届全国...
  • 14个功能材料与器...
  • 13个光学学报
  • 13个光子学报
  • 12个光电子.激光
  • 11个红外与激光工...
  • 10个激光与光电子...

地区

  • 62个北京市
  • 11个四川省
  • 5个湖北省
  • 3个安徽省
  • 3个河北省
  • 2个江苏省
  • 1个吉林省
  • 1个辽宁省
  • 1个山东省
  • 1个广东省
91 条 记 录,以下是 1-10
董志远
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
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杨俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 砷化铟 磷化铟 INP 衬底
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段满龙
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 磷化铟 衬底 INAS 单晶
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刘京明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:锑化镓 砷化铟 单晶片 GASB 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢辉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化铟 锑化镓 单晶片 衬底 砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
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孙文荣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
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魏学成
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 ZNO单晶 氮化镓 大尺寸 ZNO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王应利
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 衬底 硅衬底 电极接触 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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