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税国华

作品数：36 被引量：30H指数：2
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领域

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机构

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传媒

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地区

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  • 1个四川省
共 42 条 记 录，以下是 1-10
刘玉奎
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：微电子机械系统 击穿电压 硅薄膜 MEMS 压力传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正元
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：微电子机械系统 硅薄膜 多晶硅 电路 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨国渝
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：集成电路 硅 压力传感器 键合 MEMS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡明雨
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：动部件 MEMS 硅衬底 硅薄膜 互补双极工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正元
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：压力传感器 MEMS 硅 单片集成 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾莉
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：硼 集成电路工艺 离子注入 双极集成电路 模拟集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐岚
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：SPC 统计过程控制 半导体工艺 可靠性 化学溶液
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：深槽 W波段 氮化镓 半导体 绝缘层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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