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万寿科

作品数：14 被引量：31H指数：3
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领域

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资助

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传媒

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  • 8个科学通报
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  • 7个电子学报
  • 7个激光与红外

地区

  • 28个北京市
  • 8个江苏省
  • 3个安徽省
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王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙学浩
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 红移 三元合金 X 宽禁带半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊飞克
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体量子阱 可见光激光器 实用化 INP 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN MOVPE MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晶
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：脊形 高阶 直接调制 波导 雪崩光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱家骏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点激光器 砷化镓 半导体 MBE生长 光学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐俊英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 量子阱激光器 半导体激光器 应变量子阱激光器 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 X射线双晶衍射 GAN X射线衍射 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨锡权
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：EL2 砷化镓 热稳定性 SI-GAAS 费米能级
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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