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贾利芳

作品数:14 被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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领域

  • 18个电子电信
  • 12个理学
  • 11个金属学及工艺
  • 10个一般工业技术
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  • 3个核科学技术
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  • 1个水利工程

主题

  • 17个金属
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  • 16个电极
  • 15个金属电极
  • 14个氮化物
  • 14个电阻
  • 14个势垒
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  • 14个GAN
  • 13个氮化镓
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  • 12个导通
  • 12个导通电阻
  • 12个电流
  • 11个单晶
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  • 7个单晶体

机构

  • 16个中国科学院
  • 5个中国科学院大...
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  • 2个四川大学
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  • 1个中国航空工业...
  • 1个中国科学院西...
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资助

  • 15个国家自然科学...
  • 13个国家高技术研...
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  • 6个北京市科技计...
  • 5个教育部留学回...
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  • 2个教育部“新世...
  • 2个中国科学院仪...

传媒

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  • 10个微纳电子技术
  • 8个Journa...
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  • 3个光学学报
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  • 3个新材料产业

地区

  • 18个北京市
18 条 记 录,以下是 1-10
何志
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 欧姆接触 HEMT器件 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:刻蚀 SOI 干法刻蚀 碳化硅 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程哲
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化物 单晶 成核 叉指电极 HEMT器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李迪
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:HEMT器件 GAN 氮化物 肖特基接触 肖特基势垒二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁亚楠
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAN HEMT器件 势垒层 氮化物 反向漏电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张韵
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 氮化物 紫外发光二极管 氮化镓 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 多量子阱 GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙莉莉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:紫外发光二极管 出光效率 杀菌消毒 氮化物 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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