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余和军

作品数：12 被引量：4H指数：1
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共 11 条 记 录，以下是 1-10
余金中
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 光开关 硅基 英文 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈少武
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 波导 刻蚀 硅基 光开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐学俊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电光调制器 硅基 双光子吸收 光开关 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
屠晓光
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：干法刻蚀技术 硅表面 光刻技术 纳米尺寸 微电子工艺
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邢波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：传输谱 测量方法 光波导芯片 芯片 凸透镜成像
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 SOI 干法刻蚀 碳化硅 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏金松
供职机构：华中科技大学
研究主题：SOI 铌酸锂 干法刻蚀 脊形波导 集成光学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李智勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 空间光调制器 耦合器 波导 光学性质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈绍武
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：波导器件 二维光子晶体 光子晶体 邻近效应校正 电子束光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李运涛
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 芯片 衬底 生物芯片 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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