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彭龙新

作品数：51 被引量：92H指数：6
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地区

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共 55 条 记 录，以下是 1-10
李建平
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：低噪声放大器 GAN 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同立
供职机构：东南大学集成电路学院
研究主题：半导体器件 硅 双极晶体管 集成电路 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐波
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 GAAS MMIC GAN 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李光超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 微波单片集成电路 X波段 PIN限幅器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘石生
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：数控移相器 MMIC 幅相控制 GAAS_PHEMT 单片电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：单片低噪声放大器 超宽带 分布式结构 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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