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赵金霞

作品数：13 被引量：12H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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领域

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传媒

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地区

  • 11个河北省
  • 10个四川省
共 22 条 记 录，以下是 1-10
杜江锋
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒层 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏建新
供职机构：电子科技大学
研究主题：GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳翀
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 电流崩塌 GAN 高电子迁移率晶体管 电场分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付兴昌
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：衬底 场效应晶体管 氧化镓 谐振器 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨月寒
供职机构：电子科技大学教务处
研究主题：微机电系统 马刺 场板结构 击穿电压 解析模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔玉兴
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：谐振器 衬底 半导体 腔体 压电层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王勇
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：GAN SIC_MESFET X波段 输出功率 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伍捷
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：场板结构 击穿电压 解析模型 电场分布 场板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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