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李志华

作品数:151 被引量:11H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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领域

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唐波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 介质层 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢玲
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:波导 波导结构 绝缘体上硅 介质层 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万里兮
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:系统级封装 电容器 电容 信号完整性 封装结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周章渝
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:超导薄膜 MGB_2 MGB2 HPCVD MGB2超导薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李宝霞
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:芯片 TSV 晶圆 基板 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨成樾
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:欧姆接触 碳化硅 刻蚀 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张青竹
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 纳米线 叠层 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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