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赵万顺

作品数：137 被引量：32H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
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孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫果果
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 外延层 衬底 硅源 碳化硅衬底
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张峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 掺杂 硅源 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 半导体激光器 真空系统 衬底 薄膜生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗木昌
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：3C-SIC SI衬底 日盲紫外 ALGAN P型GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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