您的位置： 专家智库 > >

何志

作品数：30 被引量：25H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市科技计划项目国家电网公司科技项目更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作作者

领域

  • 40个电子电信
  • 26个金属学及工艺
  • 25个理学
  • 19个机械工程
  • 19个自动化与计算...
  • 19个一般工业技术
  • 14个化学工程
  • 12个电气工程
  • 11个动力工程及工...
  • 10个文化科学
  • 7个矿业工程
  • 5个经济管理
  • 4个轻工技术与工...
  • 4个核科学技术
  • 4个医药卫生
  • 3个建筑科学
  • 3个航空宇航科学...
  • 2个生物学
  • 2个农业科学
  • 1个冶金工程

主题

  • 33个刻蚀
  • 32个电阻
  • 32个欧姆接触
  • 32个金属
  • 32个光刻
  • 30个二极管
  • 29个电极
  • 29个图形化
  • 27个氮化
  • 27个肖特基
  • 26个势垒
  • 25个肖特基接触
  • 24个导通
  • 24个金属电极
  • 23个淀积
  • 22个氮化镓
  • 22个导体
  • 20个氮化铝
  • 18个单晶
  • 17个电力

机构

  • 39个中国科学院
  • 5个中国科学院大...
  • 4个扬州中科半导...
  • 2个北京大学
  • 2个四川大学
  • 2个中国科学院微...
  • 1个大连铁道学院
  • 1个大连理工大学
  • 1个北方交通大学
  • 1个兰州大学
  • 1个北京广播学院
  • 1个西北大学
  • 1个中南大学
  • 1个中国航空工业...
  • 1个东莞市天域半...
  • 1个中国科学院西...
  • 1个中煤科工集团...

资助

  • 30个国家自然科学...
  • 26个国家高技术研...
  • 20个国家重点基础...
  • 11个北京市科技计...
  • 10个中国科学院知...
  • 9个北京市自然科...
  • 8个国家电网公司...
  • 6个中国博士后科...
  • 6个国家重点实验...
  • 5个教育部留学回...
  • 4个广州市科技计...
  • 4个中国科学院科...
  • 3个天津市应用基...
  • 3个国家科技重大...
  • 3个北京市科委重...
  • 3个国家教育部博...
  • 3个中国科学院仪...
  • 3个中国科学院战...
  • 3个中国科学院知...
  • 2个国家科技攻关...

传媒

  • 25个微纳电子技术
  • 22个半导体技术
  • 19个Journa...
  • 14个第十四届全国...
  • 13个发光学报
  • 13个半导体光电
  • 11个物理学报
  • 9个固体电子学研...
  • 9个第十三届全国...
  • 8个光子学报
  • 8个第十六届全国...
  • 8个2013‘全...
  • 7个科技纵览
  • 7个智能电网
  • 7个第十二届全国...
  • 7个第十五届全国...
  • 6个稀有金属材料...
  • 6个红外与毫米波...
  • 5个光电子．激光
  • 5个材料科学与工...

地区

  • 41个北京市
共 41 条 记 录，以下是 1-10
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 SOI 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨香
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 硅基 刻蚀 相变存储器 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾利芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：HEMT器件 氮化物 肖特基接触 ALGAN/GAN 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘胜北
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 半导体薄膜 肖特基二极管 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0