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刘胜北

作品数：30 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家电网公司科技项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理金属学及工艺更多>>

合作作者

领域

  • 31个电子电信
  • 22个理学
  • 18个金属学及工艺
  • 15个一般工业技术
  • 14个机械工程
  • 12个自动化与计算...
  • 11个化学工程
  • 10个动力工程及工...
  • 7个电气工程
  • 5个文化科学
  • 3个经济管理
  • 3个核科学技术
  • 2个矿业工程
  • 2个石油与天然气...
  • 2个航空宇航科学...
  • 2个自然科学总论
  • 1个生物学
  • 1个冶金工程
  • 1个建筑科学
  • 1个水利工程

主题

  • 26个碳化硅
  • 25个电阻
  • 25个半导体
  • 21个电学
  • 20个淀积
  • 20个欧姆接触
  • 19个氮化
  • 19个电极
  • 19个势垒
  • 17个导体
  • 17个导通
  • 17个电学特性
  • 16个氮化硅
  • 15个压焊
  • 14个单晶
  • 14个氮化铝
  • 14个电力
  • 14个短沟道
  • 14个氧化硅
  • 13个氮化镓

机构

  • 27个中国科学院
  • 5个西安电子科技...
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  • 2个教育部
  • 2个中国科学院大...
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  • 1个大连理工大学
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  • 1个西安交通大学
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  • 1个中南大学
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  • 1个东莞市天域半...
  • 1个中国科学院西...
  • 1个中煤科工集团...

资助

  • 26个国家自然科学...
  • 20个国家重点基础...
  • 18个国家高技术研...
  • 10个北京市科技计...
  • 9个中国科学院知...
  • 7个北京市自然科...
  • 7个国家电网公司...
  • 4个中国博士后科...
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  • 3个国防科技技术...
  • 3个教育部科学技...
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  • 3个中国科学院战...

传媒

  • 19个微纳电子技术
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  • 11个物理学报
  • 11个半导体光电
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  • 7个固体电子学研...
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  • 6个第十五届全国...
  • 5个硅酸盐学报
  • 5个红外与毫米波...
  • 5个光子学报
  • 5个激光与红外
  • 5个第十二届全国...
  • 4个光电子．激光

地区

  • 27个北京市
  • 5个陕西省
共 32 条 记 录，以下是 1-10
孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 半导体激光器 真空系统 激光二极管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫果果
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 外延层 衬底 硅源 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 掺杂 硅源 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 衬底 3C-SIC 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑柳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：4H-SIC 碳化硅 肖特基二极管 真空系统 薄膜生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨香
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 硅基 刻蚀 相变存储器 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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