您的位置： 专家智库 > >

周晓彬

作品数：10 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 15个电子电信
  • 7个自动化与计算...
  • 2个航空宇航科学...
  • 1个核科学技术

主题

  • 12个电路
  • 10个抗辐射
  • 9个单粒子
  • 9个抗辐照
  • 7个单粒子效应
  • 7个SOI
  • 6个电压
  • 6个多晶
  • 6个偏置
  • 6个芯片
  • 6个晶体管
  • 6个抗辐射加固
  • 6个集成电路
  • 5个单元库
  • 5个多晶硅
  • 5个标准单元库
  • 4个电路结构
  • 4个电阻
  • 3个低通
  • 3个低通滤波

机构

  • 15个中国电子科技...
  • 1个东南大学
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 2个国家自然科学...
  • 2个江苏省自然科...
  • 1个国家科技重大...
  • 1个江苏省“33...

传媒

  • 14个电子与封装
  • 3个固体电子学研...
  • 3个中国集成电路
  • 2个物理学报
  • 2个微型机与应用
  • 2个电子器件
  • 2个微电子学
  • 1个哈尔滨工业大...
  • 1个电视技术
  • 1个东南大学学报...
  • 1个核技术
  • 1个电子科技大学...
  • 1个液晶与显示
  • 1个电子元件与材...
  • 1个信息与电子工...
  • 1个中国电子科学...
  • 1个现代应用物理
  • 1个信息技术与网...
  • 1个中国电子学会...

地区

  • 15个江苏省
共 15 条 记 录，以下是 1-10
高国平
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：电路 集成电路 电平转换电路 反相器 接反
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周昕杰
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子 版图 抗辐射 EEPROM 背栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈菊
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：MOSFET IC 热载流子效应 电路 尺寸设计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡永强
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：版图 MOS管 总剂量辐射效应 版图设计 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
米丹
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：版图 总剂量效应 场区 沟道 隔离栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗静
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：背栅 集成电路 ESD保护结构 版图 硅膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚进
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：单粒子效应 单粒子 电路 LET FD-SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘永灿
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：存储器测试 标准单元库 FIFO SRAM SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡庆成
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：高速率 反相器 芯片设计 电平转换电路 电平转换
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王栋
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 背栅效应 背栅 负电压 寄生
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0