您的位置: 专家智库 > >

杨涛

作品数:222 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

领域

  • 57个电子电信
  • 38个自动化与计算...
  • 32个理学
  • 29个一般工业技术
  • 29个文化科学
  • 26个电气工程
  • 22个金属学及工艺
  • 18个化学工程
  • 16个经济管理
  • 16个交通运输工程
  • 14个机械工程
  • 9个矿业工程
  • 7个核科学技术
  • 6个天文地球
  • 6个农业科学
  • 5个建筑科学
  • 5个航空宇航科学...
  • 5个医药卫生
  • 4个生物学
  • 4个轻工技术与工...

主题

  • 49个刻蚀
  • 47个半导体
  • 47个衬底
  • 42个纳米
  • 41个电路
  • 41个退火
  • 41个金属
  • 40个光刻
  • 39个金属栅
  • 38个集成电路
  • 37个电极
  • 37个栅极
  • 37个离子注入
  • 35个堆叠
  • 34个导体
  • 33个迁移率
  • 31个叠层
  • 30个氮化
  • 27个氮化硅
  • 26个电子设备

机构

  • 58个中国科学院微...
  • 10个清华大学
  • 5个中国科学院
  • 4个北京大学
  • 3个中北大学
  • 3个中国科学技术...
  • 3个中国科学院微...
  • 3个中国科学院大...
  • 2个北方工业大学
  • 2个江苏物联网研...
  • 1个贵州大学
  • 1个桂林电子科技...
  • 1个湖南大学
  • 1个西北工业大学
  • 1个湘潭大学
  • 1个华南理工大学
  • 1个浙江大学
  • 1个中国科学院重...
  • 1个杭州中科微电...
  • 1个华进半导体封...

资助

  • 32个国家自然科学...
  • 26个国家科技重大...
  • 16个国家高技术研...
  • 13个国家重点基础...
  • 7个北京市自然科...
  • 5个中国科学院战...
  • 4个北京市科技新...
  • 3个中国博士后科...
  • 3个国家教育部博...
  • 3个中国科学院知...
  • 2个国家科技攻关...
  • 2个国家科技支撑...
  • 2个江苏省自然科...
  • 2个山西省自然科...
  • 2个“九五”国家...
  • 2个北京市教委科...
  • 2个广东省重大科...
  • 2个国家电网公司...
  • 2个国家攀登计划
  • 2个沈阳市科技计...

传媒

  • 28个微纳电子技术
  • 22个半导体技术
  • 21个微电子学
  • 18个真空科学与技...
  • 12个Journa...
  • 12个微电子学与计...
  • 10个中国科技成果
  • 9个物理学报
  • 9个微纳电子与智...
  • 8个电子器件
  • 6个电子技术应用
  • 6个电子学报
  • 6个传感技术学报
  • 6个现代电子技术
  • 5个红外与毫米波...
  • 5个光子学报
  • 5个电子科技大学...
  • 5个电子工业专用...
  • 5个功能材料与器...
  • 4个材料导报

地区

  • 59个北京市
  • 1个广西
60 条 记 录,以下是 1-10
李俊峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构:清华大学
研究主题:半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:刻蚀 半导体器件 衬底 沟道 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金彪
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 掺杂 衬底 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺晓彬
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:刻蚀 光刻胶 电子束曝光 电子束 掩模
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 衬底 载流子迁移率 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共6页<123456>
聚类工具0