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赵发展

作品数：242 被引量：28H指数：3
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韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
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刘海南
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 存储器 输入端 单粒子翻转 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 集成电路 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘梦新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 射频
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李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 背栅 反相器 绝缘体上硅
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刘鑫
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：探测电路 电路 SRAM 反相器 漏极
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蔡小五
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 晶体管 栅氧化层 SOI 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 绝缘体上硅 总剂量 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 埋氧层 绝缘体上硅 隔离区 沟道
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