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吕振东

作品数：11 被引量：21H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 35 条 记 录，以下是 1-10
徐仲英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GA 自旋
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宗圭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 GAAS 砷化铟 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
封松林
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 砷化镓 自组织生长 砷化铟 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑宝真
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许继宗
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨小平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段晓峰
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：透射电子显微镜 电子能量损失谱 应变层超晶格 TEM 磁畴
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袁之良
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 INGAAS/GAAS 激子 量子线 GAAS/ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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