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吕振东
作品数:
11
被引量:21
H指数:3
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
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相关领域:
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理学
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合作作者
徐仲英
中国科学院半导体研究所
封松林
中国科学院半导体研究所
陈宗圭
中国科学院半导体研究所
郑厚植
中国科学院半导体研究所
王志明
中国科学院半导体研究所
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徐仲英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
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郑厚植
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 半导体 量子点 GA 自旋
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陈宗圭
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 自组织生长 GAAS 砷化铟 量子点
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封松林
供职机构:中国科学院上海高等研究院
研究主题:相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
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王志明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 砷化镓 自组织生长 砷化铟 INAS
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郑宝真
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
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许继宗
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
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杨小平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
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段晓峰
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:透射电子显微镜 电子能量损失谱 应变层超晶格 TEM 磁畴
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袁之良
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 INGAAS/GAAS 激子 量子线 GAAS/ALGAAS
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