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张静

作品数：81 被引量：51H指数：4
供职机构：中国电子科技集团更多>>
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谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS 半导体器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘道广
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT VDMOS器件 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐婉静
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：PMOSFET SI 应变SI SIGE 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李竞春
供职机构：电子科技大学
研究主题：SIGE MOS器件 CMOS 锗硅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王健安
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 采样开关 模数转换器 跨导放大器 单位增益带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈光炳
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 电路 采样开关 逐次逼近型模数转换器 模数转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李开成
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：分子束外延 SIGE_HBT 异质结双极晶体管 硅 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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