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杨少延

作品数：144 被引量：63H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 1个广东省
  • 1个河北省
共 77 条 记 录，以下是 1-10
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志凯
供职机构：中国科学院
研究主题：低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴春林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈诺夫
供职机构：华北电力大学
研究主题：太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏鸿源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 非极性 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵桂娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 非极性 氮化镓基发光二极管 多量子阱 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 衬底 协变 分子束外延 超高真空
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪连山
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化镓基发光二极管 多量子阱 MOVPE 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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