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杨少延
作品数:
145
被引量:64
H指数:4
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
一般工业技术
化学工程
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合作作者
王占国
中国科学院半导体研究所
刘志凯
清华大学材料科学与工程系新型陶...
柴春林
清华大学材料科学与工程系新型陶...
陈诺夫
中国科学院半导体研究所
魏鸿源
中国科学院半导体研究所
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王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
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研究领域
刘志凯
供职机构:中国科学院
研究主题:低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
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柴春林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
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陈诺夫
供职机构:华北电力大学
研究主题:太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
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魏鸿源
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 氮化镓 锌源 氮化铝 铟
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刘祥林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
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赵桂娟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 氮化镓基发光二极管 氮化镓 多量子阱 镓
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陈涌海
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 衬底 协变 光学 砷化镓
发表作品
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焦春美
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
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所获资助
研究领域
汪连山
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 氮化镓基发光二极管 多量子阱 MOVPE 成核
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