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彭松昂

作品数：56 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

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共 16 条 记 录，以下是 1-10
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张大勇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 场效应晶体管 电极 载流子迁移率 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史敬元
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 场效应晶体管 电极 载流子迁移率 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
麻芃
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 碳基 载流子迁移率 场效应晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王少青
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 场效应晶体管 电极 光学光刻 选择性刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈娇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 场效应晶体管 跨导 截止频率 金属接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王选芸
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 铜表面 保护层 光学光刻 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭建楠
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体工艺 金属 衬底材料 衬底 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘洪亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：跨导 金属接触 金属 截止频率 接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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