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罗明雄

作品数:12 被引量:9H指数:2
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领域

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地区

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22 条 记 录,以下是 1-10
刘训春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:晶体管 HBT 电子束曝光 INP 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:自对准 异质结双极晶体管 GAAS 异质结双极型晶体管 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张龙海
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:等离子体刻蚀 2.5GB/S 半导体集成电路 高电子迁移率晶体管 发射区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪宁
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:减薄 研磨工艺 光刻胶 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:HEMT ALGAN/GAN INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 氮化镓器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李无暇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:恒流源 金属 驱动电路 自调整 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石瑞英
供职机构:四川大学物理科学与技术学院
研究主题:HBT 异质结双极晶体管 光学邻近效应 电子辐照 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁志鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:INGAP/GAAS INGAP/GAAS_HBT HBT 异质结双极型晶体管 光调制器驱动电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李无瑕
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:等离子体刻蚀 半导体集成电路 发射区 晶体管 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱永学
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:HBT 异质结双极晶体管 异质结双极型晶体管 自对准 GAAS_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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