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刘汝萍

作品数:5 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
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夏冠群
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建龙
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:微流控芯片 芯片 微管道 基因芯片 液滴
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴剑萍
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 阈值电压均匀性 MESFET TH 背栅效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
詹琰
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 MESFET 阈值电压 GAAS 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传海
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 MESFET 阈值电压均匀性 阈值电压 光照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁勇
供职机构:合肥工业大学应用物理系
研究主题:MESFET 旁栅效应 砷化镓 沟道电流 GAAS衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛友德
供职机构:合肥工业大学
研究主题:金刚石薄膜 金刚石 MESFET 砷化镓 旁栅效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
翁建华
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 场效应晶体管 GAASMMIC 混频器 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张美圣
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:MESFETS MESFET GAAS_HBT ALGAINP 背栅效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝幼申
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:共平面波导 单刀双掷开关 微机械开关 微电子机械 平面波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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