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刘训春

作品数：105 被引量：93H指数：6
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王润梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：自对准 GAAS 异质结双极晶体管 异质结双极型晶体管 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张海英
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：频率综合器 单片集成 脉搏波 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石瑞英
供职机构：四川大学物理科学与技术学院
研究主题：HBT 异质结双极晶体管 光学邻近效应 电子辐照 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：晶体管 外延片 电子束曝光 高电子迁移率晶体管 显影
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗明雄
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属 等离子体刻蚀 高电子迁移率晶体管 GAAS 半导体集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄清华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：LNA X波段 功率放大器 低噪声放大器 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝明丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率放大器 射频功率放大器 射频 微波单片集成电路 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 氮化镓器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁志鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS INGAP/GAAS_HBT HBT 异质结双极型晶体管 光调制器驱动电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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