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张国强

作品数：7 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

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共 19 条 记 录，以下是 1-10
郑中山
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘体上硅 SIMOX 埋氧层 SOI 注氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘忠立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI FPGA 英文 集成电路 SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李宁
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI SIMOX 注氮 埋氧层 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范楷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SIMOX 部分耗尽SOI SOI 埋氧层 电子迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈猛
供职机构：清华大学
研究主题：SOI 注氧隔离 高温退火 低剂量 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
易万兵
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI SIMOX 氧 氮 注氧隔离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李国花
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：注氮 SIMOX 总剂量 SOI 全耗尽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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