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袁凤坡

作品数：24 被引量：22H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：SI衬底 ALGAN GAN ALN 晶圆片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王静辉
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：掺杂 波函数 LED外延片 SI衬底 内量子效率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 衬底 掺杂 氮化物 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘鹏
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：衬底 掺杂 波函数 LED外延片 SI衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周晓龙
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 INP单晶 单晶生长 掺杂 波函数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
房玉龙
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志宏
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：ALGAN 紫外探测器 弛豫 刻蚀 日盲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯志宏
供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题：SI衬底 氮化镓 功率密度 异质结 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘英斌
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MOCVD 量子阱红外探测器 MOCVD生长 半导体材料 长波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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