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贺晓彬

作品数：94 被引量：2H指数：1
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地区

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共 42 条 记 录，以下是 1-10
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 衬底 半导体器件 化学机械平坦化 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金彪
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 掺杂 衬底 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 介质层 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟令款
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 掩模 半导体器件 粗糙度 电子束光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春龙
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 衬底 刻蚀 掩模 粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 半导体器件 衬底 沟道 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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