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黄森

作品数:85 被引量:23H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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王鑫华
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 势垒层 GAN 刻蚀 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑英奎
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 ALGAN/GAN 电子束光刻 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构:清华大学
研究主题:半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘果果
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:刻蚀 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 ALGAN/GAN 电流崩塌
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
包琦龙
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 二维电子气 沟道 阈值电压 功率电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊捷
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:刻蚀 HEMT器件 氮化镓器件 氮化镓材料 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊杰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:光刻胶 光刻 刻蚀机 刻蚀 对等离子体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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