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张昉昉

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
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合作作者

领域

  • 13个电子电信
  • 8个理学
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  • 1个轻工技术与工...
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主题

  • 13个MBE
  • 13个MBE生长
  • 11个量子
  • 11个分子束
  • 11个分子束外延
  • 10个电子迁移率
  • 10个砷化镓
  • 10个迁移率
  • 10个量子点
  • 10个半导体
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  • 6个自组织量子点
  • 6个量子点材料
  • 5个氮化
  • 5个氮化物
  • 5个氮化镓
  • 5个导体

机构

  • 13个中国科学院
  • 1个四川大学
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  • 1个中国科学院大...
  • 1个扬州中科半导...

资助

  • 10个国家自然科学...
  • 9个“九五”国家...
  • 7个国家重点基础...
  • 6个国家高技术研...
  • 4个中国博士后科...
  • 3个北京市自然科...
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  • 2个中国科学院知...
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传媒

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地区

  • 13个北京市
共 13 条 记 录，以下是 1-10
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
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王保强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：振荡器 沟道 MM-HEMT材料 MBE生长 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱战平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MM-HEMT材料 分子束外延生长 沟道 MBE生长 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李灵霄
供职机构：中国科学院
研究主题：GSMBE GSMBE生长 MBE 磷化铟 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱战萍
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 分子束外延 ALGAAS MBE 大功率半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔利杰
供职机构：中国科学院
研究主题：MM-HEMT材料 MBE生长 GAAS 材料性能 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王保强
供职机构：中国科学院
研究主题：MM-HEMT材料 MBE生长 RTD 分子束外延 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹昕
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MBE生长 PHEMT Δ掺杂 掺杂 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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