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折伟林

作品数:66 被引量:0H指数:0
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

领域

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机构

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地区

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刘铭
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:碲镉汞 束流 暗电流 分子束外延 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢伟荣
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:暗电流 超晶格 红外探测器材料 碲镉汞 束流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周立庆
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:碲镉汞 硅基 分子束外延 液相外延 红外探测材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:锑化铟 晶片 INSB 暗电流 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王丛
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:分子束外延 碲镉汞 硅基 碲镉汞材料 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许秀娟
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:碲镉汞 光致发光 碲镉汞薄膜 碲锌镉 尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴卿
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:安瓿 红外探测器 晶片 碲镉汞 碲锌镉
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高达
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:硅基 分子束外延 碲镉汞 衬底 复合衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李达
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:测试信号 光信号 计算机处理系统 自动化测试 自动化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
侯晓敏
供职机构:中国电子科技集团第十一研究所
研究主题:碲锌镉 晶片 碲锌镉晶体 抛光 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共4页<1234>
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