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王建林

作品数:7 被引量:4H指数:2
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13 条 记 录,以下是 1-10
王良臣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 RTD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:干法刻蚀 自对准 电子束曝光 可调谐光滤波器 可调谐滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘忠立
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI FPGA 英文 集成电路 SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺正宏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 高电子迁移率晶体管 盖层 反应物 二维电子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐晓华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAAS 衬底 超高真空 镓 砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 量子点 GAAS 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜磊
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:SI基 可调谐光滤波器 可调谐滤波器 电极 DBR
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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