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袁志鹏

作品数：19 被引量：19H指数：3
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刘训春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：晶体管 HBT 电子束曝光 INP 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 氮化镓器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙海锋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS INGAP/GAAS_HBT 异质结双极晶体管 自对准 EEACC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王润梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：自对准 异质结双极晶体管 GAAS 异质结双极型晶体管 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石瑞英
供职机构：四川大学物理科学与技术学院
研究主题：HBT 异质结双极晶体管 光学邻近效应 电子辐照 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白大夫
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：异质结双极型晶体管 自对准发射极 功率放大器 HBT 线性化器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑丽萍
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS INGAP/GAAS_HBT 自对准 GAAS 异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗明雄
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属 等离子体刻蚀 高电子迁移率晶体管 GAAS 半导体集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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