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郭金霞

作品数:47 被引量:19H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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伊晓燕
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国宏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王良臣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 RTD
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刘志强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 多量子阱 GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田婷
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:LED 倒装 发光二极管 出光效率 LED驱动电路
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詹腾
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 电极 无线 LED器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马龙
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:共振隧穿二极管 GAN 大功率 RTD 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李璟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 多量子阱 氮化镓 外延片 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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