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李迪

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

  • 8个北京市
共 8 条 记 录，以下是 1-8
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾利芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN HEMT器件 肖特基接触 ALGAN/GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 SOI 干法刻蚀 碳化硅 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何志
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 HEMT器件 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁亚楠
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN HEMT器件 势垒层 氮化物 反向漏电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程哲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化物 单晶 成核 叉指电极 HEMT器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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