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邢玉梅

作品数：6 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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共 13 条 记 录，以下是 1-10
俞跃辉
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 离子注入 石墨烯 金属 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋朝瑞
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 SOI SOI_LDMOS 介质薄膜 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑志宏
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 铪 离子注入 离子束增强沉积 性能研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨文伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：功率器件 SOI_LDMOS 击穿电压 SOI材料 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶凯
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：氧化铪 SOI材料 二氧化硅 DSOI SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈可炜
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI材料 CH AR SIS SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈勤我
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：巨磁电阻效应 巨磁电阻 过渡层 多孔硅 电子束蒸发
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程新红
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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