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李新峰

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 12 条 记 录，以下是 1-10
周增圻
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林耀望
供职机构：南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
研究主题：GAAS 砷化镓 MBE生长 量子阱激光器 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡雄伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：阵列波导光栅 波导 硅基二氧化硅 AWG 折射率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁之良
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 INGAAS/GAAS 激子 量子线 GAAS/ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN 欧姆接触电极 紫外探测器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨海峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化 分子束外延 立方相 电子显微分析 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩培德
供职机构：太原理工大学
研究主题：第一性原理 电子结构 第一性原理研究 光子晶体 洋葱状富勒烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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