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曹志颖

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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
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兰天平
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VGF 砷化镓 位错密度 VB GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周春锋
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VGF GAAS 砷化镓 单晶生长 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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