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范亚明

作品数：65 被引量：38H指数：4
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张宝顺
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 电极 HEMT器件 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张立国
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：CVD设备 高温 工件 衬底 石墨
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张泽洪
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：工件 气相沉积 碳化硅 成膜 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
鞠涛
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：工件 碳化硅 4H-SIC 成膜 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓旭光
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：MOCVD GAN 增强型 ALN 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李哲
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：衬底 高温 均匀性 碳化硅 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩军
供职机构：北京工业大学
研究主题：MOCVD 金属有机物化学气相沉积 半导体激光器 金属有机物化学气相淀积 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢艳辉
供职机构：北京工业大学
研究主题：MOCVD 金属有机物化学气相沉积 氮化镓 MOCVD生长 P型GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于国浩
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 氮化物 增强型 半导体表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓东
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氧化镓 电极 二维电子气 半导体 纳米线阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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