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李彭瑞

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
潘斌
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：衬底 超声清洗 超大功率 操作工艺 参照系
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：铝镓氮 电极 栅电极 接触系统 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：化合物半导体器件 半导体器件 砷化镓 高电子迁移率晶体管 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦硕
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：半导体 键合剂 超薄 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 背面金属化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹鹏辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：半导体 键合剂 超薄 背面金属化 技术成熟度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金属 微波毫米波 挖槽 空气桥 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘鑫
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：钯 半导体 键合剂 化学镀钯 金属化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡俊伟
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：钯 半导体 化学镀钯 金属化 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章军云
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管 电极 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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