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王清波

作品数:25 被引量:2H指数:1
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

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赵杰
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:总剂量辐射 发射区 集电区 晶体管结构 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙有民
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:抗辐射 发射区 集电区 总剂量辐射 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛智民
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:抗辐射 总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜欣荣
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:晶体管结构 总剂量辐射 掺杂 抗辐射 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛东风
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 抗辐射 PNP晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宝忠
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:平带电压 多晶 掺杂 半导体集成电路 抗辐射加固
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王勇
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:负电源 带隙基准电压 达林顿管 分压 集电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏海龙
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:静电保护电路 双极型 双极工艺 负电源 轨对轨
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尤路
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:负电源 静电保护电路 连接电阻 低温漂 发射极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖雪
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:双极工艺 带隙基准电压 低压差稳压器 大电源 PNP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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