您的位置： 专家智库 > >

孙有民

作品数：40 被引量：4H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 15个电子电信
  • 7个自动化与计算...
  • 4个文化科学
  • 3个经济管理
  • 3个金属学及工艺
  • 2个机械工程
  • 2个电气工程
  • 1个化学工程
  • 1个轻工技术与工...
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个理学

主题

  • 13个抗辐射
  • 12个电路
  • 12个栅氧化
  • 11个多晶
  • 11个氧化层
  • 11个栅氧化层
  • 10个总剂量
  • 8个双极工艺
  • 8个退火
  • 7个电荷
  • 7个电压
  • 7个电阻
  • 6个双极型
  • 5个导通
  • 5个导通电阻
  • 5个电场
  • 5个多层布线
  • 5个亚微米
  • 5个正电
  • 5个正电荷

机构

  • 15个西安微电子技...
  • 1个西安理工大学

资助

  • 1个国防科技技术...
  • 1个中国人民解放...

传媒

  • 9个微电子学与计...
  • 5个半导体技术
  • 4个微电子学
  • 3个电子与封装
  • 3个集成电路与嵌...
  • 2个航天工艺
  • 2个电子设计工程
  • 1个世界科技研究...
  • 1个Journa...
  • 1个电子元器件应...
  • 1个微纳电子技术
  • 1个吉林大学学报...
  • 1个第十届全国抗...

地区

  • 15个陕西省
共 15 条 记 录，以下是 1-10
赵杰
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：总剂量辐射 发射区 集电区 晶体管结构 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛智民
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：抗辐射 总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王清波
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：电压 发射区 集电区 晶体管结构 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓宇
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：场区 硅栅 HTO 抗辐射 SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘存生
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：氧 沟槽 抗辐射 场效应晶体管 抗辐射加固
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛东风
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：总剂量辐射 晶体管结构 掺杂 抗辐射 PNP晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王小荷
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：氧 抗辐射加固 抗辐射 深源 MOS场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜欣荣
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：晶体管结构 总剂量辐射 掺杂 抗辐射 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宝忠
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：平带电压 多晶 掺杂 半导体集成电路 抗辐射加固
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵桂茹
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：HTO 抗辐射 CMOS 氧 SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0