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金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2: 2013年; 金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2×1019cm-3时达到1.43×10-5·cm2.NiGe与p型Ge接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺B浓度为4.2×1018cm-3时达到1.68×10-5·cm2.NiGe与n型Ge接触和Al电极相比较,在形成NiGe过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用NiGe作为Ge的接触电极在目前是合适的选择.; 严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩; 关键词：比接触电阻率

采用Al/TaN叠层电极提高Si基Ge PIN光电探测器的性能被引量：4: 2012年; 金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了Si基Ge探测器响应带宽.本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的Ge PIN光电探测器.对比了电极分别为金属Al和Al/TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基Ge PIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数.发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻,将台面直径为24μm的探测器在1.55μm的波长和-1 V偏压下的3 dB响应带宽提高了4倍.同时,器件暗电流减小一个数量级,而响应度提高了2倍.结果表明,采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极,可有效钝化金属与Ge界面,减轻费米钉扎效应,降低金属与n-Ge接触的势垒高度,因而减小接触电阻和界面复合电流,提高探测器的光电性能.; 吴政王尘严光明刘冠洲李成黄巍赖虹凯陈松岩; 关键词：接触电阻 PIN光电探测器高频特性

金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征被引量：1: 2017年; 基于圆形传输线模型,通过测试样品的比接触电阻率和电流-电压(I-V)特性曲线,分析对比了Al与Si基上外延生长的p型Ge、n型Ge和n型Si的接触特性。实验结果发现,由于金属与Ge材料接触存在强烈的费米钉效应,导致金属与n型Ge接触有高的接触电阻,难实现低的比接触电阻率;而Al与p型Ge在掺杂浓度为4.2×10^(18) cm^(-3)时,并且经过退火,比接触电阻率能达到4.0×10^(-7)Ω·cm^2;Al与n型Ge和n型Si接触电极相比,后者可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较n型Ge接触降低了1个量级,经合金化处理后的Al/n+Si接触电阻率能达到5.21×10^(-5)Ω·cm^2,达到了制作高性能Ge光电器件的要求。; 陈荔群蔡志猛严光明; 关键词：欧姆接触比接触电阻率

Si基GePIN光电探测器的设计与制备: Si基Ge材料因其优异的光电性能，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。Si基Ge长波长光电探测器成为Si基光电集成领域重要的研究课题之一。通过计算发现，少子扩散对探测器高频特性有着不可忽视的影响，而由于金属/n-G...; 严光明; 关键词：光电探测器欧姆接触超高真空化学气相沉积

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严光明