查国伟
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs/InAs纳米线量子点的单光子发射研究
- 本文描述了基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点的可控分子束外延生长，设计了一种新型分义纳米线腔结构并研究了其单光子发射效应。采用VLS生长机制，在Si基上利用Ga液滴白催化形成的GaAs纳米线，白组织生长的InAs量子点...
- 喻颖牛智川李密锋查国伟王莉娟徐建星尚向军倪海桥
- 关键词：化合物半导体分子束外延生长单光子
- 文献传递
- 室温930nm GaAs基低功耗量子点微柱激光器的制备
- 在高速通信和片上集成方面,低功耗(即低阈值)激光器有着快速响应和降低功耗增加集成度方面有着很好的前景.InAs量子点由于具有合适的波长范围,更强的光子限域效应,得到了广泛的关注.微柱结构,受益于在3维上对光场进行了限制,...
- 徐建星王莉娟倪海桥喻颖查国伟牛智川
- 关键词：半导体激光器量子点
- 文献传递
- GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
- 本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
- 牛智川尚向军王国伟徐应强任正伟贺振宏倪海桥李密锋喻颖王娟王莉娟查国伟邢军亮徐建星向伟
- 关键词：超晶格半导体低维材料分子束外延生长元器件
- 文献传递
- 硅基半导体超短脉冲激光器
- 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅...
- 丁颖倪海桥李密锋喻颖查国伟徐建新王莉娟牛智川
- 文献传递
- GaAs纳米线中量子环的分子束外延生长与表征
- 近年来,采用分子束外延生长Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其纳米光电器件研究成为新型纳米光电器件和量子物理研究领域的热点.其中一个重要的研究方向是把纳米线与三维量子限制结构如量子环[1]、量子点[2]等结合以期待获得新的光电和量子效应.
- 查国伟李密锋喻颖徐建星倪海桥牛智川
- GaAs纳米线量子点单光子发射研究
- 单光子源是量子计算、量子通信、弱信号测试、量子密钥传输等应用的关键器件.以SK(Stranski-Krastanov)模式生长的低密度自组织量子点,具有类二能级体系类原子光谱特性,可在低温下周期性地光泵浦或电注入电子、空...
- 喻颖李密锋查国伟徐建星倪海桥窦秀明孙宝权牛智川
- 硅基半导体超短脉冲激光器
- 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅...
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- 文献传递
- 半导体自组织量子点量子发光机理与器件被引量：2
- 2018年
- 介绍了自组织量子点单光子发光机理及器件研究进展.主要内容包括:半导体液滴自催化外延GaAs纳米线中InAs量子点和GaAs量子点的单光子发光效应、自组织InAs/GaAs量子点与分布布拉格平面微腔耦合结构的单光子发光效应和器件制备,单量子点发光的共振荧光测量方法、量子点单光子参量下转换实现的纠缠光子发射、单光子的量子存储效应以及量子点单光子发光的光纤耦合输出芯片制备等.
- 尚向军马奔马奔喻颖查国伟喻颖查国伟
- 关键词：自组织量子点纳米线微腔单光子
- 高对比度光栅谐振腔量子点耦合纳米结构发光器件
- 高效纳米发光器件是下一代高速低耗光子信息技术、光子并行计算和保密通信的关键器件.基于谐振腔与半导体量子点耦合纳米结构的光发射器件具有易于扩展集成、实用化前景明确等突出优点.光谐振腔与量子点耦合使量子点发光效率增强、光子收...
- 王莉娟喻颖李密锋查国伟倪海桥牛智川
- 关键词：光发射器件量子点
