汤世豪
- 作品数：8 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：电子电信文化科学自然科学总论一般工业技术更多>>
- 深化职称改革 促进学校发展——华东师范大学职改回顾被引量：1
- 1997年
- 深化职称改革促进学校发展——华东师范大学职改回顾□汤世豪汤世豪／华东师范大学人事处处长（邮编２０００６２）１９８６年全国职称改革工作会议正式决定改革职称评定制度，实行专业技术职务聘任制，掀开了我国高校教师聘用与职务晋升制度的新篇章。职称改革１０年来，...
- 汤世豪
- 关键词：职称改革高级职务教师聘任制教师职务聘任制专业技术职务
- 超浅硅N^+P结雪崩发射式冷阴极研究
- 1992年
- 本文介绍了硅超浅N^+P、结雪崩电子发射式真空微冷阴极的结构、工作原理以及用低能As离子注子形成结深浅于30 um的超浅N^+P结技术和简便的结深监测方法.并给出了这种冷阴极电子发射性能的实验结果.
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- 关键词：冷阴极
- SnOx薄膜湿法刻蚀技术
- 汤世豪袁美英徐静芳
- 关键词：氧化物半导体半导体膜蒸发法湿敏电阻器气敏器件
- 硅PN结反向击穿冷阴极研究
- 1993年
- 本文报导了硅PN结反向击穿冷阴极电子发射源的研究结果。尽管器件制造中采用的大部分工艺与标准的微电子工艺相容,但为了形成和测量超薄PN结,还引入了一些特殊方法。这些方法包括:超低能离子注入,由氧化和腐蚀构成的结区减薄工艺,快速热退火和一些对工艺进行监测的新方法。本文给出了电子发射特性,最大发射电流达到150nA,它对应的发射效率为8×10^(-6),这个数值已达到国际水平。
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- 关键词：真空微电子学PN结硅冷阴极
- 硅薄膜场发射阴极的制造和性能被引量：5
- 1993年
- 本文评述了薄膜场发射阴极的一般制造方法后,介绍了我们的制造技术。我们用硅材料为基体,用各向同性的湿法化学腐蚀工艺制出尖端,用氧化增尖和自对准栅极工艺制成TFFEC—薄膜场发射阴极。外加阳极就构成了三极管。本文给出了TFFEC和三极管的测试性能。
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- 关键词：场发射阴极硅膜
- 硅雪崩击穿冷微阴极的电子发射特性
- 1992年
- 制成高电子发射效率的稳定可靠的冷阴极是使真空微电子器件得以实现的关键.本文报导了硅超浅PN结雪崩击穿式冷阴极的结构和工作原理以及电子发射的测试结果. 器件结构和工作原理冷阴极的基本结构如图1所示,图1中中心P^+N^(++)区是电子发射有源区.N^+环区为接触区.P^+和N^(++)区分别由硼和砷离子注入形成.硼注入条件为25 KeV,1.5 E13cm^(-2)+60 KeV,1.5 E13cm^(-2).硅片在B^+注入后放入900℃氮气中退火1小时,使硼离子得到有效激活.
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- 关键词：冷阴极电子发射
- 氧化锡薄膜的体掺杂改性
- 许德霖汤世豪
- 关键词：氧化锡改性
- 正硅酸乙酯氧化膜
- 正硅酸乙酯又名四乙氧基硅或四乙基硅酸盐,英文缩写TEOS,近年来以TEOS作原料生长二氧化硅和硼磷硅玻璃在VLSZ技术中,显示越来越重要的作用。在迅速发展的半导体IC技术中,图形尺寸越来越小,采用多层布线是提高集成电路集...
- 许春芳王添平汤世豪
- 文献传递
